ワイドバンドギャップ半導体研究の実践
~結晶成長からデバイスプロセス・解析まで~
GaN LEDとLDの作製
【デバイス設計】
LEDは、計算せずともp-GaN/InGaN/n-GaN構造を作ると光る。InGaNは単層よりもMQWにした方がよく光る。
p型の接触抵抗が高い
ので、トップに持ってきた方が良い。また、
正孔濃度が少ない
ので、高い電圧をかける場合、電子障壁層(EBL)を設けると良い。
【作製手順】
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