ワイドバンドギャップ半導体研究の実践
~結晶成長からデバイスプロセス・解析まで~
本サイトの目次
はじめに
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半導体デバイス作製の流れ
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お勧めの半導体教科書
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半導体プロセスの外部委託と装置
デバイス作製
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新材料を使った電子デバイス動作
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GaN HEMTの作製
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Ga2O3 MOSFETの作製
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新材料を使った光学デバイス動作
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GaN VCSELの作製
結晶成長と欠陥評価
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MBE法によるGaN成長
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MOCVD法によるGaNおよびGa2O3成長
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GaN成長用基板
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TEM関連シミュレーション
デバイスプロセス
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フォトリソグラフィ用マスクデザイン
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イオン注入のシミュレーション
● デバイスのバンド構造・・・
①
、
②
●
GaN HEMT特性シミュレーション
計算
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SiC, AlN, GaNのX線回折面
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SiC上GaNの臨界膜厚
●
SiC上AlGaNの臨界膜厚
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Ga2O3上(AlGa)2O3の臨界膜厚
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GaNのアクセプタ濃度
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GaNの正孔濃度
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オン抵抗と耐圧の関係
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SiO2/TiO2多層膜の反射率
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GaAsの平衡分圧
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GaAs/AlGaAs共鳴トンネルダイオードのトンネル確率
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