本サイトの目次

はじめに

● 半導体デバイス作製の流れ

● お勧めの半導体教科書

● 半導体プロセスの外部委託と装置

デバイス作製

● 新材料を使った電子デバイス動作

● GaN HEMTの作製

● Ga2O3 MOSFETの作製

● 新材料を使った光学デバイス動作

● GaN VCSELの作製

結晶成長と欠陥評価

● MBE法によるGaN成長

● MOCVD法によるGaNおよびGa2O3成長

● GaN成長用基板

● TEM関連シミュレーション

デバイスプロセス

● フォトリソグラフィ用マスクデザイン

● イオン注入のシミュレーション

● デバイスのバンド構造・・・①、②

● GaN HEMT特性シミュレーション

計算

● SiC, AlN, GaNのX線回折面

● SiC上GaNの臨界膜厚

● SiC上AlGaNの臨界膜厚

● Ga2O3上(AlGa)2O3の臨界膜厚

● GaNのアクセプタ濃度

● GaNの正孔濃度

● オン抵抗と耐圧の関係

● SiO2/TiO2多層膜の反射率

● GaAsの平衡分圧

● GaAs/AlGaAs共鳴トンネルダイオードのトンネル確率