《材料》
価格では、高い順にGaN<<SiC<サファイヤ<Si。ＧａＮエピ層の結晶品質では、良質な順にGaN>>SiC>サファイヤ>Si。用途によって選択すればいいが、LEDならサファイヤ（発光の透過可）かGaN、パワデバならSi、ＳｉＣ（高い熱伝導率）、ＧａＮが一般的。
《面方位》
結晶成長し易い(0001)面の利用が低価格で一般的。ＬＥＤでは、QCSE解消のため、(1100)面や(0112)半極性面も使われる。半極性面の方が結晶成長が容易。(1120)面は結晶成長が難しいのであまり使われない。
(0001)面の場合、GaN基板とSiC基板でオリフラの方向が逆（製品依存かも）。LEDやLD等で基板裏側から光を取り出す際は、両面研磨を用いるが、基板裏側に番号が打たれてない場合もあるので面方位は注意。右にsecondary flatがある時に見えている面が、GaNではGa面であり、SiCではC面。
《オフ角度》
GaNの{0001}面ではジャスト基板が使われる。(000-1)面は、吸着原子の表面拡散が小さいため、表面平坦性が悪く、不純物の取り込みも多い。(000-1)面に関しては、エピ層の表面平坦性を確保するために、2～4度オフも使われる。
SiCエピはステップフロー成長促進による、多結晶抑制が一般的なので、4度オフまたは8度オフが市販されており、０度オフよりも安い。Si面、C面に加えて、(1100)面、(1120)面、Si(111)に相当する(03-38)面も手に入る。
《絶縁性》
移動度を測りたい場合、基板に伝導性があるとキャリアが基板へ流れ、膜だけの移動度を求められない。n型基板を使う場合、予め絶縁性膜を成長し、その上に所望のデバイス構造を作製。絶縁性膜として、窒素空孔によりn型化しやすいGaNでは、CやMgドープが使われる。ＳｉＣなら半絶縁性基板が手に入る。
《へきかい》
GaNは(1100)面でへきかい可能。ダイヤモンドペンで試料の端を抑えるだけで、真直ぐに割れる。サファイヤ基板を使う際は、GaN成長層は基板に対して30度回転しているので面方位に注意。X線で要確認。
【基板メーカー】
・窒化物基板
●住友電工
●三菱化学
○KYMA
△lumilog